碳纳米管具有良好的导电性能，由于碳纳米管的结构与石墨的片层结构相同，所以具有很好的电学性能。理论预测其导电性能取决于其管径和管壁的螺旋角。当CNTs的管径大于6nm时，导电性能下降；当管径小于6nm时，碳纳米管 导电 CNTs 可以被看成具有良好导电性能的导线。有报道说Huang通过计算认为直径为0.7nm的碳纳米管具有超导性，尽管其超导转变温度只有1.5x10—4K，但是预示着碳纳米管在超导领域的应用前景。

硅是传统的半导体材料。长期以来，整个半导体产业遵循摩尔定律，不断缩小晶体管尺寸以提升其性能。而业界认为，摩尔定律将在2020年左右达到终点，即硅材料晶体管的尺寸将无法再缩小，芯片的性能提升已经接近其物理极限。在此背景下，人们一直在寻找能够替代当前硅芯片的材料，碳纳米管就是主要的研究方向之一。美国斯坦福大学、IBM公司的研究人员都在致力于该领域的研究。国际半导体技术发展路线图近年来多次引用团队的工作，来证明碳纳米管是一个重要的出路。

应用于电器产品上，主要是基于塑料的绝缘性。从电性能方面考虑，塑料可大致分为三类：一类是非极性的或低极性的塑料，如通用塑料中的大部份烯烃类塑料，像PE、PP、PS 等。这类材料的介电常数和介电损耗低，电阻率高，而且不受外界频率和温度、湿度的影响。第二类是极性大的材料，如尼龙、增塑剂的PVC以及酚醛模塑料等。它们的介电强度和介电损耗比一类大得多，且电阻率也较低。